Transverse electric dominant intersubband absorption in Si-doped GaInAsN/GaAs quantum wells

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.2172719
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 2
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des matériaux industriels du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12744100
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Identificateur de l’enregistrement772d4788-4ea9-42d4-b238-ef0d11287b96
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2023-04-17
Date de modification :