The Effect of IrO2-IrO2/Hf/LaAlO3 Gate Dielectric on the Bias-Temperature Instability of 3-D GOI CMOSFETs
The Effect of IrO2-IrO2/Hf/LaAlO3 Gate Dielectric on the Bias-Temperature Instability of 3-D GOI CMOSFETs
DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1109/LED.2005.848130 |
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Format | Texte, Article |
Date de publication | 2005 |
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Numéro NPARC | 12744299 |
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Identificateur de l’enregistrement | 75da39aa-8372-41b2-8155-25899244d286 |
Enregistrement créé | 2009-10-27 |
Enregistrement modifié | 2020-04-07 |
- Date de modification :