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DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.1412284 |
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Auteur | Rechercher : Landheer, D.1; Rechercher : Wu, X.1; Rechercher : Morais, J.; Rechercher : Baumvol, I. J. R.; Rechercher : Pezzi, R. P.; Rechercher : Miotti, L.; Rechercher : Lennard, W. N.; Rechercher : Kim, J. K. |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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Format | Texte, Article |
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Résumé | Gadolinium silicate films on Si(100) annealed in oxygen and vacuum at temperatures up to 800 °C were analyzed by Rutherford backscattering and narrow resonance nuclear profiling. Oxygen diffused into the film eliminating oxygen vacancies, but Si diffusion, previously observed in Al and Y oxides and in La and Zr silicate films, was absent. Higher-temperature annealing in oxygen resulted in the formation of an interfacial layer observable in high-resolution electron micrographs. Gd0.23Si0.14O0.63 films crystallize at temperatures between 1000 and 1050 °C. These observations combined with recent electrical measurements show that gadolinium silicate films may be a good candidate for the replacement of SiO2 in deep submicron metal–oxide–semiconductor gates. |
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Date de publication | 2001 |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Numéro NPARC | 12743790 |
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Identificateur de l’enregistrement | 6ddd403b-e6c1-483f-a951-6ce626709c51 |
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Enregistrement créé | 2009-10-27 |
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Enregistrement modifié | 2020-03-27 |
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