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Photovoltaic spectroscopy of InGaAsP/InP multiple quantum wells

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1006/spmi.1995.1052
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Résumé
Photovoltaic Spectroscopy is used to study lattice matched Au/InGaAsP/InP multiple quantum wells at 4.2 < T < 300 K. Four quantum transitions are clearly identified in the spectra and their temperature shift mapped. The Au/InGaAsP Schottky barrier is found to be nearly temperature independent at φB 0.68 eV, and the binding energy of the 11H associated exciton estimated at Eb 11 meV. The 11H exciton displays a small electric field shift, to the red at low T, changing over to a blue shift at higher temperatures.
Date de publication
Dans
  • Superlattices and Microstructures 17, nº 3 (avril 1995) : 291–296.
Langueanglais
Numéro NPARC12327474
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Identificateur de l’enregistrement6ae49c59-c7a9-4c8b-aac6-c4afefa6884f
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-04-29
Date de modification :