Auteur | Rechercher : Teppe, F.; Rechercher : Consejo, C.; Rechercher : Torres, J.; Rechercher : Chenaud, B.; Rechercher : Solignac, P.; Rechercher : Fathololoumi, S.1; Rechercher : Wasilewski, Z.R.1; Rechercher : Zholudev, M.; Rechercher : Dyakonova, N.; Rechercher : Coquillat, D.; Rechercher : El Fatimy, A.; Rechercher : Buzatu, P.; Rechercher : Chaubet, C.; Rechercher : Knap, W. |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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Format | Texte, Article |
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Sujet | All-solid-state; GaAs/AlGaAs; Gate length; Liquid nitrogen temperature; Nanometer size; Physical mechanism; Quantum cascades; Resonant detection; Saturation regime; Terahertz detection; Terahertz systems; THz radiation; Transistor channels; Detectors; Drain current; Gates (transistor); Liquid nitrogen; Nitrogen plasma; Plasma waves; Quantum cascade lasers; Quantum theory; Solid state lasers; Terahertz waves; Transistors; Terahertz wave detectors |
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Résumé | We report on the resonant detection of a 3.1 THz radiation produced by a quantum cascade laser using a 250 nm gate length GaAs/AlGaAs field effect transistor at liquid nitrogen temperature. We show that the physical mechanism of the detection is related to the plasma waves excited in the transistor channel. The detection is enhanced by increasing the drain current and driving the transistor into saturation regime. These results clearly show that plasma wave nanometer-size transistors can be used as detectors in all-solid-state terahertz systems where quantum cascade lasers act as sources. |
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Date de publication | 2011 |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Publications évaluées par des pairs | Oui |
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Numéro NPARC | 21271414 |
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Identificateur de l’enregistrement | 6a61bb57-2145-4e27-a1b1-535b45e64299 |
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Enregistrement créé | 2014-03-24 |
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Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
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