Band engineering in nanowires: Ab initio model of band edges modified by (111) biaxial strain in group IIIA-VA semiconductors

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1103/PhysRevB.86.085411
AuteurRechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21269568
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Identificateur de l’enregistrement69ed6d8c-a8b8-4452-af3c-1d31d6e9c594
Enregistrement créé2013-12-12
Enregistrement modifié2020-04-21
Date de modification :