Spin- and valley-dependent analysis of the two-dimensional low-density electron system in Si MOSFETs
Spin- and valley-dependent analysis of the two-dimensional low-density electron system in Si MOSFETs
DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1103/PhysRevB.70.035308 |
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Format | Texte, Article |
Date de publication | 2004 |
Dans | |
Langue | anglais |
Publications évaluées par des pairs | Oui |
Numéro NPARC | 12744697 |
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Identificateur de l’enregistrement | 69eb316e-3a28-449c-8829-7f663cc9f691 |
Enregistrement créé | 2009-10-27 |
Enregistrement modifié | 2020-04-17 |
- Date de modification :