| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1109/Group4.2013.6644453 |
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| Auteur | Rechercher : Aleali, Alireza; Rechercher : Xu, Danxia1; Rechercher : Schmid, Jens H.1; Rechercher : Cheben, Pavel1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0003-4232-9130; Rechercher : Ye, Winnie N. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Conférence | 2013 IEEE 10th International Conference on Group IV Photonics, GFP 2013, 28 August 2013 through 30 August 2013, Seoul |
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| Sujet | electrooptic effects; figure of merits; pockels effect; silicon waveguide; stress-induced; light modulators; modulators; photonics; silicon; strain; waveguides; optimization |
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| Résumé | A method for the optimization of strain-induced Pockels effect in silicon waveguides is proposed. We introduce a new figure of merit and show a 35% enhancement in FOM compared to most efficient reported devices. © 2013 IEEE. |
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| Date de publication | 2013 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 21270906 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 69b7b6be-a329-4770-b0ec-1765ce033b29 |
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| Enregistrement créé | 2014-02-18 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-22 |
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