High performance HFET devices on sahire and SiC: Passivation with AlN

Par Conseil national de recherches du Canada

Autre titreMat Res Soc
AuteurRechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : 2; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Numéro NPARC12346336
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Identificateur de l’enregistrement66c526f7-fdce-429f-8b11-586745175900
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2020-04-02
Date de modification :