DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1557/opl.2012.730 |
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Auteur | Rechercher : Modi, Nikhil; Rechercher : Tsybeskov, Leonid; Rechercher : Lockwood, David J.1; Rechercher : Wu, Xiao Z.2; Rechercher : Baribeau, Jean Marc2 |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Science des mesures et étalons
- Conseil national de recherches du Canada. Technologies de l'information et des communications
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Format | Texte, Article |
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Conférence | 2011 MRS Fall Meeting, 28 November 2011 through 3 December 2011, Boston, MA |
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Sujet | Auger recombination; Low temperature photoluminescence; PL degradation; PL intensity; Sample temperature; Si/SiGe; Three-dimensional clusters; Three-dimensional nanostructures; Photoluminescence; Three dimensional; Nanostructures |
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Résumé | We report the degradation of low temperature photoluminescence (PL) from Si/SiGe three-dimensional cluster morphology nanostructures under continuous photoexcitation. The PL intensity initially decreases slowly for about 15 minutes, and then decreases rapidly, until only ∼ 10% of the original PL intensity remains. A complete recovery of the PL requires restoring the sample temperature to - 300K. We propose that a slow accumulation of charge in SiGe clusters enhances the rate of Auger recombination and results in the observed PL degradation. © 2012 Materials Research Society. |
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Date de publication | 2011 |
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Dans | |
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Série | |
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Langue | anglais |
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Publications évaluées par des pairs | Oui |
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Numéro NPARC | 21271378 |
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Identificateur de l’enregistrement | 6533bb5f-17f4-449d-b38d-01b0f92b7c5d |
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Enregistrement créé | 2014-03-24 |
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Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
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