DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00749-0 |
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Auteur | Rechercher : Finnie, P.1; Rechercher : Buchanan, M.1; Rechercher : Lacelle, C.1; Rechercher : Roth, A.P.1 |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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Format | Texte, Article |
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Résumé | Selective area growth on silicon dioxide masked gallium arsenide substrates by chemical beam epitaxy is used to fabricate inverted V-shaped mesas. Indium gallium arsenide quantum wells grown on top of these mesas form quantum wire structures. The faceted mesa sidewalls are described as a function of substrate temperature and V/III ratio in terms of a simple geometric model. The photoluminescence spectra show that the wire structure peak is shifted to longer wavelength compared to unpatterned substrates, for all growth temperatures. This shift is explained by the migration of indium. For low temperature growth, a second peak due to sidewall quantum wells is observed. |
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Date de publication | 1996-03 |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Publications évaluées par des pairs | Oui |
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Numéro NPARC | 12338863 |
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Identificateur de l’enregistrement | 6357ec8e-093d-41af-8826-702d2b3222b9 |
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Enregistrement créé | 2009-09-11 |
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Enregistrement modifié | 2020-03-20 |
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