High-performance GaN/InGaN heterostructure FETs on Mg-doped GaN current blocking layers

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.08.089
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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12744252
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Identificateur de l’enregistrement60ab4c1d-4d04-4978-b092-eae209c27239
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-04-17
Date de modification :