| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1088/1674-4926/32/11/115014 |
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| Auteur | Rechercher : Huang, Y.; Rechercher : Zhang, Y.; Rechercher : Yin, Z.; Rechercher : Cui, G.; Rechercher : Liu, H.C.1; Rechercher : Bian, L.; Rechercher : Yang, H. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | array; CMOS chips; CMOS circuits; Edge bead; Flip chip; Flip-chip bonding; GaAs/AlGaAs; indium bump; Indium bumps; small-size; Spatial light modulators; Via hole; CMOS integrated circuits; Flip chip devices; Light modulators; Photoresists; Semiconductor quantum wells; Indium |
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| Résumé | We demonstrate a novel method for indium bump fabrication on a small CMOS circuit chip that is to be flip-chip bonded with a GaAs/AlGaAs multiple quantum well spatial light modulator. A chip holder with a via hole is used to coat the photoresist for indium bump lift-off. The 1000 μm-wide photoresist edge bead around the circuit chip can be reduced to less than 500 μm, which ensures the integrity of the indium bump array. 64 × 64 indium arrays with 20 μm-high, 30 μm-diameter bumps are successfully formed on a 5 × 6.5 mm2 CMOS chip. © 2011 Chinese Institute of Electronics. |
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| Date de publication | 2011 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 21271426 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 5e98f7a8-bd29-4039-b125-47020e6e8a9f |
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| Enregistrement créé | 2014-03-24 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
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