Electronic band structures and electron spins of InAs/GaAs quantum dots induced by wetting-layer fluctuation

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.3633508
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
SujetElectron spins; Electronic band structure; Energy separations; Excitation lasers; Excitation wavelength; InAs/GaAs quantum dots; Kerr rotation; Reflectance spectrum; Resonant excitation; Sign-change; Spin orientations; Spin state; Sub-bands; Time-resolved; Band structure; Laser excitation; Magnetic fields; Rotation; Separation; Spin dynamics; Wetting; Semiconductor quantum dots
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21271251
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Identificateur de l’enregistrement531deb11-0128-407f-a451-54ed2108bb3c
Enregistrement créé2014-03-24
Enregistrement modifié2020-04-21
Date de modification :