Strain Relaxation of GaNyAs1-y Films on 100 GaAs Substrates Studied by Transmission Electron Microscopy

Par Conseil national de recherches du Canada

AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
FormatTexte, Article
ConférenceMicroscopy & Microanalysis 2005, 38565, Honolulu, USA
Numéro NPARC12346602
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Identificateur de l’enregistrement4e720902-a624-49af-a167-e5e1957cd6c3
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2020-04-16
Date de modification :