Strain Relaxation of GaNyAs1-y Films on 100 GaAs Substrates Studied by Transmission Electron Microscopy
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Format | Texte, Article |
Conférence | Microscopy & Microanalysis 2005, 38565, Honolulu, USA |
Numéro NPARC | 12346602 |
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Identificateur de l’enregistrement | 4e720902-a624-49af-a167-e5e1957cd6c3 |
Enregistrement créé | 2009-09-17 |
Enregistrement modifié | 2020-04-16 |
- Date de modification :