Surface passivation of AlGaN/GaN HFETs using AlN layer deposited by reactive magnetron sputtering

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1002/pssc.200390119
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 2
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Maison d’éditionWiley
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12744164
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Identificateur de l’enregistrement46d28c48-6f3a-4a95-8f2c-e06ec2bd0e02
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-03-30
Date de modification :