The characterization of oxides formed on InP,InGaAs,InAlAs and InGaAs/InAlAs heterostructures at 300-500ºC
The characterization of oxides formed on InP,InGaAs,InAlAs and InGaAs/InAlAs heterostructures at 300-500ºC
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Format | Texte, Article |
Date de publication | 2002 |
Dans | |
Numéro NPARC | 12744875 |
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Identificateur de l’enregistrement | 44c7b966-b576-471f-82d9-9600c111de7f |
Enregistrement créé | 2009-10-27 |
Enregistrement modifié | 2020-03-30 |
- Date de modification :