The characterization of oxides formed on InP,InGaAs,InAlAs and InGaAs/InAlAs heterostructures at 300-500ºC

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1023/A:1015396204143
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 2; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut des étalons nationaux de mesure du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12744875
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Identificateur de l’enregistrement44c7b966-b576-471f-82d9-9600c111de7f
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-03-30
Date de modification :