Strain engineering and luminescence in Si/SiGe three dimensional nanostructures

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1557/opl.2011.300
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 2; Rechercher : 2
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Science des mesures et étalons
  2. Conseil national de recherches du Canada. Technologies de l'information et des communications
FormatTexte, Article
Conférence2010 MRS Fall Meeting, 29 November 2010 through 3 December 2010, Boston, MA
SujetAnalytical electron microscopy; Excitation wavelength; Interface recombination; Low temperature photoluminescence; PL lifetime; PL quantum efficiency; PL spectra; Si/SiGe; Strain engineering; Strained Silicon; Three-dimensional nanostructures; Time-resolved PL measurement; Ultrahigh resolution; Electron microscopy; Germanium; Semiconductor quantum wells; Nanostructures
Résumé
Date de publication
Dans
Série
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21271549
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Identificateur de l’enregistrement446f7bb7-f43f-435c-afd7-da28d680e547
Enregistrement créé2014-03-24
Enregistrement modifié2020-04-21
Date de modification :