Scaling of a metal/insulator transition in a 2D system at B=0

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/0039-6028(96)00571-7
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Conférence11th International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS XI), Nottingham, UK, August 7-11, 1995
SujetElectrical transport; Metal-oxide-semiconductor (MOS) structures; Silicon
Résumé
Date de publication
Dans
Série
Langueanglais
Numéro NPARC12337989
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Identificateur de l’enregistrement43938f37-304f-4bd8-b11c-5075454f39cf
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-03-20
Date de modification :