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Rapid thermal annealing of InAs/GaAs quantum dots with a low-temperature-grown InGaP cap layer

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.2165655
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Programme d'aide à la recherche industrielle
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
  • Journal of Vacuum Science & Technology A 24, nº 3 (mai 2006) : 700–703.
Numéro NPARC12744744
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Identificateur de l’enregistrement3ae1ce2b-f8e1-4e16-bcfa-e57c94d03fa7
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-04-22
Date de modification :