Rapid thermal annealing of InAs/GaAs quantum dots with a low-temperature-grown InGaP cap layer
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DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.2165655 |
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Format | Texte, Article |
Date de publication | 2006-05 |
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Numéro NPARC | 12744744 |
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Identificateur de l’enregistrement | 3ae1ce2b-f8e1-4e16-bcfa-e57c94d03fa7 |
Enregistrement créé | 2009-10-27 |
Enregistrement modifié | 2020-04-22 |
- Date de modification :