Novel SiO2/AlN/HfAlO/IrO2 Memory with Fast Erase, Large ÄVth, Fast Erase and Good Retention

Par Conseil national de recherches du Canada

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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
ConférenceSymposium on VLSI Technology, 2005
Numéro NPARC12346663
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Identificateur de l’enregistrement329ce583-33f4-42f9-8a7d-d1413d861a08
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2020-04-16
Date de modification :