Novel SiO2/AlN/HfAlO/IrO2 Memory with Fast Erase, Large ÄVth, Fast Erase and Good Retention
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Affiliation |
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Format | Texte, Article |
Conférence | Symposium on VLSI Technology, 2005 |
Numéro NPARC | 12346663 |
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Identificateur de l’enregistrement | 329ce583-33f4-42f9-8a7d-d1413d861a08 |
Enregistrement créé | 2009-09-17 |
Enregistrement modifié | 2020-04-16 |
- Date de modification :