Current gain degradation in SiGe HBTs by hot carriers

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.1503789
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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12744495
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Identificateur de l’enregistrement2eed0044-2e99-47ee-935e-b8aa4fb5c01a
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-03-30
Date de modification :