| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1143/APEX.5.022104 |
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| Auteur | Rechercher : Skierbiszewski, C.; Rechercher : Siekacz, M.; Rechercher : Turski, H.; Rechercher : Muzioł, G.; Rechercher : Sawicka, M.; Rechercher : Feduniewicz-Zmuda, A.; Rechercher : Cywiński, G.; Rechercher : Cheze, C.; Rechercher : Grzanka, S.; Rechercher : Perlin, P.; Rechercher : Wiśniewski, P.; Rechercher : Wasilewski, Z.R.1; Rechercher : Porowski, S. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | Continuous wave lasing; Differential gain; GaN substrate; Laser structures; Optical modes; Optical output power; Plasma-assisted molecular beam epitaxy; Room temperature; Threading dislocation densities; Threshold currents; Gallium nitride; Molecular beam epitaxy; Epitaxial growth |
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| Résumé | Room-temperature continuous wave lasing at 432nm with a threshold current of 7.6 kA/cm2 for nitride-based laser diodes (LDs) grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy is reported. The diodes were grown on c-plane GaN substrates with a threading dislocation density of 5 × 107 cm -2. We used a simplified laser structure design with GaN claddings where the optical modes were confined by the thick 120nm In 0:08Ga 0:92N waveguide. Our LDs show a high optical output power of 130mW, a differential gain of 0.5 W/A, and a lifetime of 50 h. © 2012 The Japan Society of Applied Physics. |
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| Date de publication | 2012 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 21269434 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 2e73a629-fc64-498d-a24e-266215d4256e |
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| Enregistrement créé | 2013-12-12 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
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