Role of dislocation-free GaN substrates in the growth of indium containing optoelectronic structures by plasma-assisted MBE

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.04.002
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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12743777
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Identificateur de l’enregistrement2df6560d-0b68-4402-b550-92e0290a145b
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-05-10
Date de modification :