Growth of the GaN and GaN/AlGaN on bulk crystals using plasma-assisted molecular beam epitaxy

Par Conseil national de recherches du Canada

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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut de biotechnologie des plantes du CNRC
FormatTexte, Allocution
ConférenceXXXII International School on the Physics of Semiconducting Compounds "Jaszowiec 2003", May 30 - June 6, 2003, Jaszowiec, Poland, 37773
Noteposter, abstract only; not published in Proceedings of the XXXII International School on the Physics of Semiconducting Compounds (Acta physica polonica. A, v.103 n.6 and v.104 n.2)
Numéro NPARC12346579
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Identificateur de l’enregistrement2d543beb-c4d7-4f89-a5f7-973302d683de
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2020-03-03
Date de modification :