DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.physb.2014.03.084 |
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Auteur | Rechercher : Mala, S. A.; Rechercher : Tsybeskov, L.; Rechercher : Lockwood, D. J.1; Rechercher : Wu, X.1; Rechercher : Baribeau, J. -M.2 |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Science des mesures et étalons
- Conseil national de recherches du Canada. Technologies de l'information et des communications
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Format | Texte, Article |
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Sujet | Carrier recombination; Si/SiGe; Photoluminescence |
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Résumé | Photoluminescence (PL) measurements were performed in Si/Si1-xGex nanostructures with a single Si0.92Ge0.08 nanometer-thick layer incorporated into Si/Si0.6Ge0.4 cluster multilayers. Under pulsed laser excitation, the PL decay associated with the Si0.92Ge0.08 nano-layer is found to be nearly a 1000 times faster compared to that in Si/Si0.6Ge0.4 cluster multilayers. A model considering Si/SiGe hetero-interface composition and explaining the fast and slow time-dependent recombination rates is proposed. |
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Date de publication | 2014-11-15 |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Publications évaluées par des pairs | Oui |
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Numéro NPARC | 21272952 |
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Identificateur de l’enregistrement | 2abb46bb-2fed-4a97-8fc7-460640ffc2fe |
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Enregistrement créé | 2014-12-03 |
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Enregistrement modifié | 2020-04-22 |
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