Intersubband Transitions in molecular-beam-epitaxy-grown Wide Bandgap II-VI Semiconductors

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  1. Obtenir@CNRC : Intersubband Transitions in molecular-beam-epitaxy-grown Wide Bandgap II-VI Semiconductors (Ouvre dans une nouvelle fenêtre)
DOITrouver le DOI : http://doi.org/10.1116/1.2720859
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
TypeArticle
Titre de la revueJournal of Vacuum Science & Technology B
Volume25
Numéro3
Pages995998; nbre. de pages : 4
Date de publication
AffiliationInstitut des sciences des microstructures du CNRC; Conseil national de recherches Canada; Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
Publications évaluées par des pairsNon
Numéro NPARC12744605
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Identificateur de l’enregistrement299ad80a-ffa1-4586-b3cf-ea5736557e70
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2016-05-09
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