Properties of InAlP Native Oxides Suorting MOS Inversion-layer Behavior

Par Conseil national de recherches du Canada

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FormatTexte, Article
Conférence43rd Electronic Materials Conference, June 27-29 2001, Notre Dame, Indiana
Numéro NPARC12346233
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Identificateur de l’enregistrement280608c4-8784-4d59-930a-f5c74ec9b2d4
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2020-04-16
Date de modification :