Effect of template morphology on the efficiency of InGaN/GaN quantum wells and light-emitting diodes grown by molecular-beam epitaxy
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DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.1884745 |
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Affiliation |
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Format | Texte, Article |
Date de publication | 2005 |
Dans | |
Langue | anglais |
Publications évaluées par des pairs | Oui |
Numéro NPARC | 12744109 |
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Identificateur de l’enregistrement | 243d40ba-2ed0-4f56-80d2-ca53b0735cc8 |
Enregistrement créé | 2009-10-27 |
Enregistrement modifié | 2023-05-10 |
- Date de modification :