Dopant depletion in the near surface region of thermally prepared silicon (100) in UHV

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.3694010
AuteurRechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut national de nanotechnologie
FormatTexte, Article
SujetCharging characteristics; Dopant atoms; Dopant concentrations; Dopant state; Doped sample; Hydrogen-terminated silicon; Hydrogen-terminated surfaces; Imaging characteristics; Near surface regions; Near-surface; Silicon (100); Ultrahigh vacuum scanning tunneling microscopies; Arsenic; Carrier concentration; Dangling bonds; Electric charge; Hydrogen; Scanning tunneling microscopy; Semiconductor doping
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21269460
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Identificateur de l’enregistrement16a1a2cb-22ae-494c-ae5b-c21128912fa5
Enregistrement créé2013-12-12
Enregistrement modifié2020-04-21
Date de modification :