Effect of emitter design on the dc characteristics of InP-based double-heterojunction bipolar transistors
Effect of emitter design on the dc characteristics of InP-based double-heterojunction bipolar transistors
DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1088/0268-1242/16/3/309 |
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Format | Texte, Article |
Date de publication | 2001 |
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Numéro NPARC | 12744754 |
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Identificateur de l’enregistrement | 14a748bf-39ea-4603-9392-07c71cd5184c |
Enregistrement créé | 2009-10-27 |
Enregistrement modifié | 2020-03-27 |
- Date de modification :