Effect of emitter design on the dc characteristics of InP-based double-heterojunction bipolar transistors

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1088/0268-1242/16/3/309
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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12744754
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Identificateur de l’enregistrement14a748bf-39ea-4603-9392-07c71cd5184c
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-03-27
Date de modification :