Hot-carrier induced degradation and recovery in polysilicon-emitter bipolar transistors

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1109/ISDRS.2001.984432
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Conférence2001 International Semiconductor Device Research Symposium, 5-7 December 2001, Washington, DC, USA
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Numéro NPARC12346192
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Identificateur de l’enregistrement0e6e3a0b-f249-44b6-b640-2f7f0d90de17
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2020-03-27
Date de modification :