High-Speed AlGaN/GaN HFETs Fabricated by Wet Etching Mesa Isolation

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1049/el:20001351
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 2
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12328413
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Identificateur de l’enregistrement0d8aa33a-ac50-48cb-b165-fd57f9c225d6
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-03-26
Date de modification :