Low RF noise and power loss for ion-implanted Si having an improved implantation process

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1109/LED.2002.807027
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12744651
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Identificateur de l’enregistrement095580ae-90a8-45b1-aafb-1c81697acee6
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-04-02
Date de modification :