The fabrication of a broad-spectrum light-emitting diode using high-energy ion implantation

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1109/68.531817
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Sujet/spl mu/m laser structure bandgap; 1.5 mum; absorbing section; broad spectrum light emitting diode; broad-spectrum light-emitting diode; emission full width half maximum; Fabry-Perot noise; high-energy ion implantation; ion implantation; lasing operation suppression; LED; optical fabrication; semiconductor quantum wells; semiconductor technology; superluminescent diode fabrication; superluminescent diodes
Résumé
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12327990
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Identificateur de l’enregistrement070b3931-5416-4a48-b4fd-732f0abe191e
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-03-20
Date de modification :