GaAs/AlGaAs p-type multiple-quantum wells for infrared detection at normal incidence: model and experiment

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1117/12.425449
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 2; Rechercher : 2
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada
FormatTexte, Article
ConférenceInternational Conference on Solid State Crystals 2000, October 9, 2000, Zakopane, Poland
Sujetnfrared detector; band-gap engineering; GaAs/AlGaAs; p-type
Résumé
Date de publication
Maison d’éditionSPIE
Dans
Série
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12744205
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Identificateur de l’enregistrement05ae398f-935c-4a36-bbec-17b16094a477
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2023-06-22
Date de modification :