On hot-carrier induced degradation, temperature, bias and emitter geometry dependence of the dc characteristics of polysilicon-emitter bipolar transistors

Par Conseil national de recherches du Canada

AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
ConférenceEDMO2002 - 10th International Symposium on Electron Devices for Microwave & Optoelectronic Alications, November 2002, Manchester, UK
Numéro NPARC12346431
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Identificateur de l’enregistrement03b4aa1c-9eef-4240-92f7-1ada6b02eccd
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2020-04-16
Date de modification :