On hot-carrier induced degradation, temperature, bias and emitter geometry dependence of the dc characteristics of polysilicon-emitter bipolar transistors
On hot-carrier induced degradation, temperature, bias and emitter geometry dependence of the dc characteristics of polysilicon-emitter bipolar transistors
Auteur | Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : |
---|---|
Affiliation |
|
Format | Texte, Article |
Conférence | EDMO2002 - 10th International Symposium on Electron Devices for Microwave & Optoelectronic Alications, November 2002, Manchester, UK |
Numéro NPARC | 12346431 |
Exporter la notice | Exporter en format RIS |
Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
Identificateur de l’enregistrement | 03b4aa1c-9eef-4240-92f7-1ada6b02eccd |
Enregistrement créé | 2009-09-17 |
Enregistrement modifié | 2020-04-16 |
- Date de modification :