On the electronic transport properties of amorphous (Si,Ge) alloys: charged scattering centers and compositional disorder
On the electronic transport properties of amorphous (Si,Ge) alloys: charged scattering centers and compositional disorder
| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S0022-3093(02)00932-8 |
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| Format | Texte, Article |
| Date de publication | 2002 |
| Dans | |
| Numéro NPARC | 12744801 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 02700805-9506-499a-829f-d0cd6a05aec1 |
| Enregistrement créé | 2009-10-27 |
| Enregistrement modifié | 2020-03-30 |
- Date de modification :