Structural properties of maskless epitaxial lateral overgrown MOCVD GaN layers on Si (111) substrates

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S0022-0248(02)01842-0
AuteurRechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12744460
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Identificateur de l’enregistrement0138e1f1-8dce-4bb5-a9d6-f5b8c550a66b
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-04-02
Date de modification :